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FITOK飞托克 ALD 系列 原子层沉积隔膜阀
产品简介:

FITOK飞托克 ALD 系列 原子层沉积隔膜阀
> 产品定位:半导体 ALD 原子层沉积工艺专用**高速高纯气动隔膜阀,用于半导体工艺特气精准脉冲式给药,满足先进制程纳米薄膜沉积要求

产品型号:ALD6LV-FFR4-4-CF3V

更新时间:2026-09-03

厂商性质:经销商

访问量:11

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产品介绍

FITOK飞托克 ALD 系列 原子层沉积隔膜阀
FITOK飞托克 ALD 系列 原子层沉积隔膜阀

✅ 核心特点

  1. 流道无死区,极易吹扫,降低残余气体、颗粒污染,适配超高纯特气

  2. 超快响应:全开关响应<15ms,部分版本可低至 5ms,满足 ALD 高频脉冲换气

  3. 流量一致性高:Cv 偏差 ±3%,批次稳定性好,保证每周期气体剂量稳定

  4. 超长循环寿命,适配 ALD 设备高频次往复开关工况

  5. 多版本可选:标准型 / 耐热型 / 热浸没型

  6. 带电磁阀配置款:电磁阀可沿执行器圆周旋转,方便管路布局调位

  7. 介质接触材质耐腐蚀,PFA 阀座 + 钴合金隔膜,兼容各类前驱体、蚀刻气体

  8. 阀体采用 SEMI F20 标准 316L / 316L VIM-VAR 不锈钢,EP 电解抛光处理

📌 技术参数

表格

项目参数
端口规格1/4"~3/8"、6~8mm;3/8"~1/2"、10~12mm;1.125"/1.5" 表面安装
Cv 值小口径:0.27;大口径:0.62(热浸没型 0.3)
工作压力真空~10 bar(145 psig)
气动驱动压力3.4~6.2 bar(50~90 psig)
工作温度标准型:0~120℃;耐热型:0~200℃;热浸没型最高 220℃
氦泄漏率内漏≤1×10⁻⁹ std・cm³/s;外漏≤1×10⁻⁹ std・cm³/s
浸润面粗糙度0.13 μm(5 μin)电解抛光

🧩 材质(介质接触件)

  • 阀体:316L SS / 316L VIM-VAR(SEMI F20)

  • 隔膜:钴合金 AMS5876,高强度耐腐蚀

  • 阀座:高纯 PFA

🏭 行业应用 & 工艺场景

  1. 半导体:原子层沉积 ALD 设备(高 k 介质、金属栅、阻挡层沉积)

  2. 超高纯电子特气脉冲给药、前驱体输送

  3. 半导体薄膜设备、MEMS 制造、纳米涂层设备

  4. 实验室真空气相沉积系统


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