ROHM罗姆 肖特基势垒二极管
（覆盖 Si 肖特基、SiC 肖特基、FRD 整流、齐纳、TVS 全品类，分技术、工艺、封装、车载、工业、供应链六大维度）

自研沟槽 MOS 肖特基结构，同步优化低 VF 正向压降 + 超低 IR 反向漏电流，打破行业固有权衡矛盾

YQ 系列沟槽 SBD 反向恢复时间 trr 低至 15ns，开关损耗较竞品降低 37%，整机功耗下降 26%

SiC 肖特基采用多数载流子导电，零少子存储效应，几乎无反向恢复拖尾，高频 PFC 损耗大幅降低

第 5 代平面肖特基正向压降比通用 FRD 低 11%，低压整流效率提升 25%

RBQ 系列高温反向损耗较传统产品降低 60%，从根源抑制热失控风险

SiC SBD 耐压覆盖 650V/750V/1200V，填补硅肖特基 200V 以上高压空白，适配光伏、车载 OBC

第二代 SiC 肖特基势垒工艺优化，VF 同比降低 0.15V，导通损耗进一步缩减

宽温域 IR 稳定，125℃高温下漏电流增幅远低于同类竞品，发动机舱高温 ECU 稳定运行

浪涌电流耐受能力强化，短时大电流冲击不易晶格损伤，电源输入端抗冲击能力更强

齐纳二极管 EDZV/UDZV 系列稳压精度 ±1%，微型贴片超低温度漂移，基准电压无偏移

TVS 系列极窄结电容，高速 CAN FD/USB 信号无失真，不干扰通信波形

快恢复 FRD 系列分级 trr：50ns/100ns/300ns 多档位，适配低频工频至 MHz 级开关电源

双向 TVS 双向对称钳位电压，正负浪涌同等防护，无需搭配双二极管

大电流共阴极双肖特基（RBQ 双通道）集成双芯，单封装替代两颗分立器件，简化布线

SiC 二极管正向电阻正温度系数，并联均流性优异，多管并联无电流失衡问题

超低寄生电感芯片布局，高频开关电压尖峰降低，减少 EMI 滤波器件用量

微型整流二极管反向耐压覆盖 10V~2000V 全区间，低压快充至工业高压全覆盖

低漏电流系列（RBxx8）200V 耐压，可直接替换传统 FRD，同时降低整机发热

车载 TVS ESD 耐受能力 ±30kV 接触放电，±40kV 空气放电，满足严苛车载静电标准

开关二极管结电容 < 0.5pF，射频、信号切换无信号衰减

大功率整流管低导通阻抗，大电流工况温升更低，散热器体积可缩小 30%

肖特基高温稳定性强，150℃持续工作无性能漂移，适配密闭无散热设备

齐纳全电压梯度 0.8V~75V，每 0.1V 一档细分，精准匹配各类 MCU 基准供电

整流二极管反向击穿电压一致性高，批量离散差＜5%，无需二次筛选

SiC 二极管开关频率可达 MHz 级，缩小电感、电容体积，整机小型化减重

低 VF 肖特基适配低压电池设备（3.7V 锂电），减少电压损耗延长续航

大功率 TVS 瞬时浪涌耐受达数 kW，车载继电器、电机负载防浪涌防护可靠

通用整流二极管工频整流压降稳定，50/60Hz 适配器转换效率提升 8%~12%

高压 SiC 漏电流极低，高温待机功耗几乎可忽略，光伏逆变器空载损耗大幅下降

复合二极管（整流 + 稳压二合一）单器件实现双功能，减少 PCB 器件数量