ROHM罗姆 肖特基势垒二极管
（覆盖 Si 肖特基、SiC 肖特基、FRD 整流、齐纳、TVS 全品类，分技术、工艺、封装、车载、工业、供应链六大维度）

自研芯片与制造工艺优势（20 条）

31. 自有晶圆厂垂直整合，从硅片、SiC 衬底到芯片制造全流程自主可控，性能迭代速度优势

32. 肖特基势垒成型工艺，精准平衡 VF 与 IR，规避普通肖特基高温漏电恶化缺陷

33. SiC 沟槽刻蚀自主，芯片有效导电面积提升，同等尺寸通流能力提升 20%

34. 芯片钝化层改良工艺，抗水汽、抗杂质离子侵入，延长户外设备使用寿命

35. 无金 / 低金芯片方案，降低物料成本，同时保持同等高温可靠性

36. 车载芯片专属离子注入工艺，抑制辐射漏电，适配自动驾驶车载电子

37. 超薄芯片减薄技术，封装厚度压缩，适配穿戴、便携超薄设备

38. 芯片应力缓冲层设计，冷热循环无芯片开裂，-55℃~150℃宽温循环稳定

39. 高精度光刻制程，芯片版图一致性高，同批次器件电气参数离散极小

40. 碳化硅外延层自研生产，缺陷密度行业低位，器件故障率大幅降低

41. 金属半导体接触界面优化，杜绝高温下势垒退化，长期使用性能不衰减

42. 功率芯片多单元并联集成工艺，单芯片实现大电流输出，省去多颗并联

43. 低缺陷钝化涂层，抗潮湿、粉尘腐蚀，工业恶劣环境稳定工作

44. 分梯度芯片设计，同封装分标准 / 低 IR / 低 VF 三版本，客户按需选型

45. 芯片热阻优化，相同封装热阻降低 15%，散热压力更小

46. 无铝迁移芯片工艺，车载长期高低温循环无接触失效风险

47. 量产芯片 100% 电气测试，VF、IR、trr、耐压全参数自动分选

48. 芯片抗辐射加固版本，适配工控、储能、车载自动驾驶高可靠场景

49. 轻量化 SiC 芯片，同等功率芯片面积比硅 FRD 缩小 40%，降低封装成本

50. 迭代式工艺升级，每代产品损耗持续优化，老型号可直接无缝替代升级