技术文章
更新时间:2026-05-15
点击次数:28
无油干式结构:无油污染,真空洁净度高,满足半导体 SEMI‑S2、CE、NRTL 行业标准
耐腐蚀能力强:标配 / 可选 Ni‑Resist 耐蚀材质,适配 HCl、HI、氟化物、氯气等强腐蚀气体,适配碳化硅 SiC、化合物半导体工艺
节能稳定:专属转子设计 + 怠速休眠模式,同级别节能 30%+,50/60Hz 频率下抽气性能一致
低振动低噪音:无接触式转子,振动小、噪音低,适配精密实验室、产线
全系列覆盖:从小型风冷泵到大型水冷螺杆泵,抽速 50~80000L/min 全覆盖
代表型号:EV‑SA20
特点:风冷无需水冷、无接触免维护、高水汽耐受、超小型、低能耗、内置智能控制器
抽速:200~2000L/min
应用:Load‑Lock、PVD、SEM、分析仪器(LC‑MS/GC‑MS)、实验室、小型半导体设备
代表型号:ESR20N、ESR30N、ESR500W
特点:小型占地、低功耗、可选耐蚀材质、适配轻负载~中腐蚀工艺
抽速:500~5000L/min
应用:Load‑Lock、离子注入、轻腐蚀刻蚀、半导体辅助真空、科研设备
特点:宽温域控制、模块化设计、长维护周期、抗腐蚀、适配多工艺通用、TCoO 使用成本低
应用:半导体刻蚀、CVD、灰化、离子注入、外延工艺、SiC 碳化硅产线
代表型号:EV‑M20N、M102N、M202N、M302N、M502N
抽速:1800~50000L/min
特点:极限真空≤5Pa,强耐氟 / 氯腐蚀,水冷稳定
应用:刻蚀、CVD、薄膜沉积、半导体核心制程
代表型号:ESA15‑D、ESA25‑D、ESA70W、ESA300W、ESA700W
抽速:1400~80000L/min
特点:大抽速、快速抽空、适配氢气 / 轻气体、有机溶剂排气、低振动
应用:MOCVD、大型 Load‑Lock、LCD 溅射、光伏、真空干燥、外延设备
转子类型:罗茨式(中小抽速)、螺杆式(大抽速),无接触无磨损
耐蚀材质:Ni‑Resist 镍基耐蚀铸铁、特殊涂层,适配氯化氢、碘化氢、碘蒸气等 SiC / 第三代半导体强腐蚀气体
冷却方式:风冷(小型)、水冷(中大型)
极限真空:0.5~5Pa,满足半导体超高洁净真空要求
半导体(核心):刻蚀、CVD/PVD、离子注入、外延、退火、Load‑Lock、SiC 碳化硅、化合物半导体
新能源光伏:MOCVD、薄膜沉积、真空镀膜
化工精密制造:腐蚀性气体抽取、真空干燥、溶剂回收
科研 / 分析:电子显微镜、质谱仪、真空镀膜、空间模拟
荏原:日系稳定、耐腐蚀性更强、适配 SiC / 腐蚀工艺更优、维护周期更长
爱德华 / 莱宝:欧美主流,通用性强,但腐蚀工况荏原适配性更好
关于我们
公司简介 企业文化 荣誉资质产品分类
EBARA荏原 华南一级代理 樫山Kashiyama优势品牌 爱发科ULVAC 代理品牌新闻文章
新闻中心 技术文章联系我们
联系方式 在线留言 地图导航18825222238
(全国服务热线)wl@tamasaki.com
扫码加微信
Copyright © 2026玉崎半导体(深圳)有限公司 All Rights Reserved 工信部备案号:粤ICP备2026042622号
技术支持:化工仪器网 管理登录 sitemap.xml