NMB美蓓亚 MR系列IGBT小电流 1. 场截止沟槽 IGBT：低饱和压降 Vce (sat)，同时开关损耗低，兼顾导通与开关性能。 2. 高短路耐受能力，适合工业逆变器恶劣工况。

NMB美蓓亚 MR系列IGBT小电流 1. 场截止沟槽 IGBT：低饱和压降 Vce (sat)，同时开关损耗低，兼顾导通与开关性能。 2. 高短路耐受能力，适合工业逆变器恶劣工况。

NMB美蓓亚 MR系列IGBT小电流 1. 场截止沟槽 IGBT：低饱和压降 Vce (sat)，同时开关损耗低，兼顾导通与开关性能。 2. 高短路耐受能力，适合工业逆变器恶劣工况。

NMB美蓓亚 MR系列IGBT小电流 1. 场截止沟槽 IGBT：低饱和压降 Vce (sat)，同时开关损耗低，兼顾导通与开关性能。 2. 高短路耐受能力，适合工业逆变器恶劣工况。

NMB美蓓亚 MR系列IGBT小电流 1. 场截止沟槽 IGBT：低饱和压降 Vce (sat)，同时开关损耗低，兼顾导通与开关性能。 2. 高短路耐受能力，适合工业逆变器恶劣工况。

NMB美蓓亚 MR系列IGBT小电流 1. 场截止沟槽 IGBT：低饱和压降 Vce (sat)，同时开关损耗低，兼顾导通与开关性能。 2. 高短路耐受能力，适合工业逆变器恶劣工况。