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Edwards爱德华 半导体严苛多级罗茨干式泵
产品简介:

Edwards爱德华 半导体严苛多级罗茨干式泵
>半导体专用重型干式多级罗茨泵(Roots),专门给高腐蚀、易冷凝、带沉积物的半导体工艺设计

产品型号:IXH200

更新时间:2026-10-14

厂商性质:经销商

访问量:33

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产品介绍

Edwards爱德华 半导体严苛多级罗茨干式泵
Edwards爱德华 半导体严苛多级罗茨干式泵

✅ 核心原理 & 特点

多级无油罗茨结构,腔体无油;齿轮箱独立润滑,气体侧和润滑侧隔离。

  • 宽区间温控:泵体温度可调,抑制副产物冷凝、镀覆沉积(TiCl₄、氮化硅、氧化硅 ALD/LPCVD 这类极易结垢工艺核心卖点)

  • XCEDE 防腐涂层选配:转子 / 定子表面强化处理,抗腐蚀能力大幅提升,是 iXH 最关键的工艺包,强酸、卤化物刻蚀标配

  • 新型气体阻隔密封,降低反向泄漏、延长保养周期

  • 自带智能控制、N₂多路吹扫(入口、轴封、级间吹扫),针对粉尘、可凝物

  • 水冷、低振动,整机集成控制器,支持通讯、故障诊断、热管理闭环

  • Mk2 版本:功耗优化、寿命更长,是当前量产主力

✅ 主流型号(HTXS 为高温严苛版本)

表格

型号峰值抽速 m³/h极限真空工艺定位
iXH1220HTXS12005×10⁻³ mbar中型蚀刻、CVD
iXH1820HTXS18005×10⁻³ mbar主流量产机型
iXH3030HTXS29005×10⁻³ mbar大流量沉积
iXH4550HTXS42005×10⁻³ mbar重载、大腔体
iXH6050HTXS52005×10⁻³ mbar超大流量
iXH6520HTXS+5600<5×10⁻³ mbar最高温版本,TiCl₄ ALD 专用

后缀说明:H = 高温,TX=XCEDE 防腐涂层,S = 强化吹扫

✅ 典型半导体应用(iXH 是这一类工艺的泵)

  1. ALD:氧化硅、氮化硅、TiN(TiCl₄工艺,非常容易冷凝结块,优先 iXH 高温款)

  2. LPCVD:多晶硅、氮化硅、氧化层沉积

  3. 高腐蚀介质刻蚀、介质层蚀刻

  4. 带可凝副产物、金属氯化物沉积工艺


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