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产品型号：MMJ6530C00xx
更新时间：2026-08-19
厂商性质：经销商
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NMB美蓓亚 MR系列IGBT小电流
NMB美蓓亚 MR系列IGBT小电流
重要：MR‑小电流系列全部为 IGBT 裸片（Die），无成品封装器件，只供货芯片晶圆，面向功率模块厂商，不零售分立器件。技术：第一代沟槽栅场截止型 Trench‑Gate Field‑Stop IGBT，耐压 650V，电流覆盖 12A‑35A。
表格
| 型号 | VCES 耐压 | Ic@25℃ | VCE (sat) 典型 | VCE (sat) 最大值 | VGE(th) | 芯片尺寸 | 结温 Tj |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMJ6512B00xx | 650V | 12A | 1.65V | 1.95V | 4.0‑6.0V | 2.70×2.70mm | -40~150℃ |
| MMJ6515B00xx | 650V | 15A | 1.65V | 1.95V | 4.0‑6.0V | 2.90×2.90mm | -40~150℃ |
| MMJ6525B00xx | 650V | 25A | 1.60V | 1.90V | 4.0‑6.0V | 3.30×3.30mm | -40~150℃ |
| MMJ6530C00xx | 650V | 30A | 1.80V | 2.10V | 4.5‑6.5V | 3.54×3.54mm | -40~150℃ |
| MMJ6535C00xx | 650V | 35A | 1.85V | 2.15V | 4.5‑6.5V | 3.77×3.77mm | -40~150℃ |
后缀
xx：版本代码，区分高速 / 标准开关版本；VGES 栅极最大电压：‑30V ~ +30V。
场截止沟槽 IGBT：低饱和压降 Vce (sat)，同时开关损耗低，兼顾导通与开关性能。
高短路耐受能力，适合工业逆变器恶劣工况。
芯片尺寸梯度化，电流从 12‑35A 平滑覆盖，便于模块内部多颗芯片并联扩容。
可搭配同 MR 系列MR‑FRD 快恢复二极管裸片做配套，组成 IGBT+FRD 半桥 / 全桥模块方案。
小功率工业逆变器、伺服驱动
焊机电源、小型 UPS 不间断电源
光伏微型逆变器、储能变流器小功率支路
家电大功率变频模块
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