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Toyo Tanso东洋炭素 SiC 碳化硅复合石墨
产品简介:

Toyo Tanso东洋炭素 SiC 碳化硅复合石墨
诚信为本、专业高效、客户共赢、赋能产业
成为连接半导体资源与国内终端需求的核心桥梁

产品型号:SIC-6

更新时间:2026-06-22

厂商性质:经销商

访问量:9

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产品介绍

Toyo Tanso东洋炭素 SiC 碳化硅复合石墨
Toyo Tanso东洋炭素 SiC 碳化硅复合石墨

东洋炭素 SiC 复合石墨分为两大独立技术路线:PERMA-KOTE® CVD 碳化硅涂层石墨(表层覆膜型)Toyo Siliconized Graphite TS 系列渗硅一体化 SiC/C 复合基材(整体复合型),专门解决普通石墨高温易氧化、腐蚀气体侵蚀、掉粉释气、不耐等离子 / 酸碱痛点,适配半导体、第三代 SiC/GaN 外延、光伏长晶、蓝宝石、腐蚀型高温炉严苛工况。

一、两类 SiC 复合石墨核心工艺区分

1. PERMA-KOTE® CVD-SiC 涂层石墨(覆膜改性,市面半导体主流)

以 IG/TTK/ISEM/ISO 高纯等静压石墨为基材,采用高温 CVD 化学气相沉积在工件表面生长致密纯 SiC 保护层,涂层与基材冶金结合、无分层开裂;涂层厚度可调 20~500μm,标准量产 120μm。
  • 结构:石墨基体 + 表层 SiC 致密薄膜(基体仍保留石墨韧性、导热优势)

  • 核心定位:晶圆承载盘、MOCVD、硅外延、单晶炉高精度精密件

2. TS 系列 Siliconized Graphite 渗硅一体化 SiC/C 复合基材(整体复合)

整块石墨坯料高温渗硅反应,表层 + 内部孔隙原位生成 SiC,形成石墨 - 碳化硅梯度复合一体化材料,并非单纯表面覆膜;整体高硬度、耐冲刷、耐磨,可直接机械加工螺纹、开孔,加工后新生断面自带 SiC 防护层,无需二次涂层。
  • 结构:梯度 SiC/C 复合一体坯料,通体耐腐蚀抗氧化

  • 核心定位:重载滑动件、等离子腔体、腐蚀气氛长晶、空气高温工况工装

二、全系型号、参数与定位

(一)TS 系列 一体化 SiC/C 渗硅复合石墨(基材级整块材料)

TS-004 标准均衡款

  • 物性:复合密度 1.92~2.28g/cm³,抗折 86MPa,热导率 60~70W/m・K,连续耐温 1600℃(空气)、2200℃(惰性)

  • 特性:平衡强度、导热、加工性,性价比量产通用

  • 适用:真空炉耐腐蚀载台、蓝宝石辅助工装、光伏高温滑动密封件、普通等离子腔体构件

TS-005 高密度高硬度重载款

  • 物性:复合密度 2.67g/cm³,抗折 105MPa,热导率 80W/m・K,耐磨、抗等离子冲刷能力拉满

  • 特性:SiC 复合相含量更高,硬度、耐蚀、耐磨大幅提升

  • 适用:MOCVD 大尺寸托盘、SiC 长晶炉保温件、等离子刻蚀腔体、长期空气高温循环构件、硬质合金烧结耐腐蚀模具

(二)PERMA-KOTE® CVD-SiC 涂层(按石墨基材划分,涂层统一工艺)

涂层性能统一:高纯 SiC 膜、金属杂质<0.1ppm、致密无气孔、隔绝 HF/NH₃/Cl₂等腐蚀气体、阻断石墨氧化掉粉;可匹配东洋全系列高纯石墨基材,按需选型:
  1. PERMA-KOTE + ISO 基材(ISO-63/68)

    超细晶粒超高纯基底 + SiC 涂层,低释气、镜面精度、极低颗粒污染

    应用:SiC/GaN 外延 MOCVD susceptor、硅外延承载盘、第三代半导体长晶核心件

  2. PERMA-KOTE + TTK-87 基材

    量产高纯均衡型,大尺寸热场构件专用

    应用:直拉单晶炉加热器、热屏、蓝宝石长晶整套保温件、PVD/CVD 导热板

  3. PERMA-KOTE + ISEM-3 基材

    半导体标准石墨舟基底,中等成本洁净制程

    应用:扩散炉石墨载具、离子注入夹具、中小型外延托盘

  4. PERMA-KOTE + IG-110 超高纯基材

    核级低杂质基底,少子寿命管控严苛光伏单晶产线

    应用:210 大尺寸硅单晶导流筒、坩埚托、铸锭炉耐腐蚀热场

三、SiC 复合石墨通用核心优势(全系共有)

  1. 高温抗氧化,突破普通石墨 600℃氧化上限

    SiC 保护层空气环境可稳定 1400℃长期使用,解决常规石墨>600℃快速烧损,大幅延长空气 / 微量氧工况工件寿命。

  2. 耐化学腐蚀,适配半导体腐蚀工艺

    耐受氨气 NH₃、 HF、氯气、硅蒸汽、熔融硅不浸润;MOCVD、外延工艺不会被腐蚀性工艺气体刻蚀,无石墨杂质污染晶圆。

  3. 零掉粉、超低真空放气,提升芯片良率

    致密 SiC 封闭石墨孔隙,杜绝碳颗粒脱落、高温碳氢挥发物释放;GDMS 检测金属杂质极低,避免晶圆黑点、晶体缺陷、少子寿命衰减。

  4. 高硬度耐磨、抗等离子冲刷

    SiC 莫氏硬度 9,远高于石墨;等离子刻蚀、外延气流冲刷工况不易磨损,托盘平整度长期稳定,批次膜厚均匀。

  5. 保留石墨高导热、低热膨胀、抗热震基底特性

    相比纯 SiC 陶瓷韧性更好,快速升降温不开裂;热传导均匀,晶圆温场温差极小。

  6. 分两种工艺适配不同加工需求

    • CVD 涂层件:成品最后覆膜,适合高精度、少开孔的精密托盘;

    • TS 渗硅一体料:可任意铣、钻、攻丝,加工断面自带 SiC 防护,适合复杂多孔、螺纹重载件。

四、三大行业精准选型指南

1. 第三代半导体(SiC/GaN、MOCVD 外延)

  • 高精度晶圆承载盘、外延 susceptor → PERMA-KOTE + ISO-68

  • 量产 LED/Mini LED MOCVD 大托盘 → PERMA-KOTE + TTK-87 / TS-005

  • 等离子刻蚀腔体耐腐蚀构件 → TS-005

2. 光伏 & 蓝宝石长晶

  • CZ 硅单晶炉加热器、热屏、导流筒(微量氧环境)→ PERMA-KOTE TTK-87/IG-110

  • 蓝宝石长晶整套保温坩埚、发热支撑 → TS-004 / PERMA-KOTE TTK-8

  • 铸锭炉耐腐蚀侧保温板、长期高温空气辅件 → TS-004

3. 真空热处理 / 腐蚀气氛工业炉

  • 含氟、氯、氨气烧结炉载台、密封滑动件 → TS-005

  • 实验室管式炉耐腐蚀坩埚、小型精密热处理治具 → PERMA-KOTE ISEM-3

  • 空气环境高温连续热处理工装 → TS 一体化复合系列



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