Toyo Tanso东洋炭素 高密度细晶粒等静压
诚信为本、专业高效、客户共赢、赋能产业
成为连接半导体资源与国内终端需求的核心桥梁

一、产品定位与工艺核心

ISO 系列全系通用核心优势

1. 超细晶粒≤4μm，镜面放电

   晶粒远细于 ISEM（7~10μm）、IG（7~20μm），EDM 精加工可达Ra0.4μm 镜面，0.05mm 超薄筋、微小型腔、深微孔加工不崩角、不掉渣，火花纹均匀细腻，适合光学透镜、医疗精密模具、连接器微型型腔。

2. 超高密度 + 强力学性能，高温不变形

   多次浸渍填充内部孔隙，密度≥1.82g/cm³，抗折 73~76MPa、抗压 172MPa，冷热循环、长期高温蠕变极小，热压烧结模具、单晶炉高温结构件长期尺寸稳定。

3. 各向同性，三维性能无偏差

   X/Y/Z 热膨胀、导电、强度一致，电极放电损耗均匀；单晶炉温场无局部温差，硅片少子寿命波动极小。

4. 低灰分、低真空放气，高纯洁净

   基础款灰分＜20ppm，酸洗提纯后灰分＜5ppm，高温无金属杂质析出，杜绝晶圆、硅片、光学镜片污染，适配 CZ 单晶、SiC 长晶、半导体扩散炉严苛洁净工况。

5. 优异抗热震、耐高温

   真空 / 惰性气氛 2800℃稳定使用；低热膨胀系数，快速升降温不开裂；自润滑、耐酸碱、不浸润熔融硅与金属。

6. 超高加工精度

   可五轴铣削、研磨、线切割，加工公差 ±0.003mm，适配光学、半导体微型精密治具。

二、ISO 全系列型号、关键参数与细分定位

1. ISO-63（旗舰超细高强度，行业用量最大型号）

• 核心参数：平均晶粒 4μm，密度 1.86g/cm³，肖氏硬度 70~80HSD，电阻率 14~15.5μΩ・m，抗折 76MPa，抗压 172MPa，热导率 70W/m・K

• 定位：超精密 EDM 镜面电极、单晶炉核心热场、硬质合金热压模具主力牌号

• 适配工况：

1. EDM：光学透镜模具、医疗精密塑胶模、连接器微型型腔、镜面抛光放电、硬质合金加工电极；

2. 光伏单晶：CZ 直拉硅单晶炉导流筒、加热器、热屏、籽晶夹、坩埚托（182/210 大尺寸硅片量产标配）；

3. 高温工装：硬质合金 / 陶瓷热压烧结模具、粉末冶金精密模具；

4. 半导体：SiC 长晶炉保温筒、离子注入精密载具。

• 核心优势：强度、密度、光洁度均衡拉满，兼顾放电性能与高温结构稳定性，场景通用优选。

2. ISO-68（高纯均衡超细款，洁净制程专用）

• 核心参数：晶粒 4~5μm，密度 1.82g/cm³，肖氏硬度 80HSD，电阻率 15.5μΩ・m，抗折 76MPa，抗压 172MPa

• 定位：高纯低杂质单晶 / 半导体、光学精密电极

• 适配工况：

• 单晶炉、SiC 碳化硅长晶热场、LED 外延 MOCVD 石墨舟；

• 光学镜头超精密镜面电极、医疗植入件模具；

• 实验室超高纯高温管式炉、贵金属熔炼坩埚。

• 优势：杂质控制更严格，真空放气量更低，对硅料、晶圆污染风险极低。

3. ISO-88（经济型超细 ISO，性价比 EDM）

• 核心参数：晶粒 5μm，密度 1.82g/cm³，肖氏硬度 55HSD，电阻率＜20μΩ・m，抗折 62MPa

• 定位：预算适中的精密放电、中小型单晶辅件

• 适配工况：

• 中小型精密塑胶模具、手机外观镜面电极、压铸模精细骨位加工；

• 单晶炉辅助隔热件、小型真空炉石墨载台；

• 通用精密高温治具、实验室烧结托盘。

• 优势：保留 ISO 超细晶粒镜面加工能力，价格低 ISO-63/68，中小型精密量产性价比优选。

三、三大核心行业精准选型指南

（一）精密 EDM 放电加工（光学 / 医疗 / 连接器模具）

1. 超镜面、微型薄壁、硬质合金精加工、量产光学模 → ISO-63

2. 超高洁净无杂质要求（医疗植入件、光学镜片）→ ISO-68

3. 中小型精密外观模、精细骨位、控制材料成本 → ISO-88

（二）光伏单晶 / 碳化硅长晶高温热场

1. CZ 直拉单晶硅炉核心发热体、导流筒、热屏（量产主线）→ ISO-63

2. SiC 碳化硅长晶、第三代半导体外延设备、超高洁净单晶产线 → ISO-68

3. 单晶炉隔热辅件、小型实验长晶炉 → ISO-88

（三）半导体 & 高温热压工装

1. 硬质合金、陶瓷热压模具、重载高温结构件 → ISO-63

2. MOCVD、扩散炉高纯石墨舟、晶圆承载盘 → ISO-68

3. 中小型真空热处理精密载具 → ISO-88