NIKKATO日陶 HIP 热等静压致密化、高硬度
诚信为本、专业高效、客户共赢、赋能产业
成为连接*半导体资源与国内终端需求的核心桥梁

一、型号与定位

• 型号：YTZ®‑S（Superior 增强级）

• 材质：Y‑TZP（4.8 wt% Y₂O₃稳定 ZrO₂）

• 工艺核心：HIP 热等静压（高温高压后处理，消除内部气孔 / 微裂纹）

  定位：日陶氧化锆球顶级增强版；在标准级 YTZ® 之上，纳米研磨 + 超低污染 + 超长寿命优选。

二、化学组成（高纯低污染）

• ZrO₂+HfO₂：≥94.7%

• Y₂O₃：≈4.8%（稳定剂，维持四方相）

• 杂质总量：＜0.5%（严控）

• Fe₂O₃：≤0.05%（低铁不染色）

• SiO₂/Al₂O₃：≤0.2%

• 重金属：＜10ppm

三、关键物理性能（HIP 增强，对比标准 YTZ®）

• 核心亮点：HIP 工艺让内部零气孔、零微裂纹，磨耗更低、球形度更高、表面更洁净。

四、尺寸规格（纳米至工业级全覆盖）

• 微珠（纳米专用）：φ0.03/0.05/0.1/0.2 mm

• 常规（主流）：φ0.3/0.5/1/2/3/5/8/10 mm

• 大球（高粘度）：φ15/20/25 mm

• 公差：φ≤1mm ±0.01mm；φ>1mm ±0.05mm

• 外观：高白镜面、致密无气孔、无杂质点

五、制造工艺（HIP 增强专属）

1. 原料：日本东曹高纯 Y‑TZP 粉体（99.9% 级）

2. 成型：冷等静压（CIP），密度均匀

3. 预烧：1,450–1,500℃，形成四方相

4. 关键工序：HIP 热等静压：1,500℃+150MPa 氩气，消除气孔 / 微裂纹，致密度达理论值

5. 后处理：超精密抛光 + 超声波清洗 + 无尘包装，表面无游离微粒、金属溶出＜0.1ppm

六、核心优势（对比标准 YTZ®/ 氧化铝）

1. HIP 致密：内部零气孔、零微裂纹，强度 / 韧性 / 耐磨性全面提升。

2. 超低磨耗 + 超长寿命：磨耗0.3 ppm/h，比标准 YTZ® 低 25%、比 93% 氧化铝低 85%；连续使用≥10,000 小时（1.2 年免补充）。

3. 纳米级精密研磨：高球形度 + 镜面表面，轻松实现D50≤50nm，粒度分布极窄、无团聚。

4. 低污染：高纯材质 + 超低磨耗 + 无游离微粒，不引入任何金属离子 / 重金属，适配锂电、半导体、荧光粉等高纯场景。

5. 高速高负载稳定：高硬高强高韧，12,000 rpm 高速 / 高固含量浆料不破碎、不掉渣，安全性高。

七、典型应用（高精尖 + 纳米级 + 无污染）

• 新能源锂电：三元 / 磷酸铁锂正极、硅碳负极、纳米导电剂、超薄隔膜涂层（纳米分散 + 低金属污染）

• 电子半导体：MLCC 纳米钛酸钡、介电 / 压电陶瓷、半导体封装浆料、高纯电子浆料

• 荧光 / 光学材料：LED 纳米荧光粉、稀土发光材料、光学玻璃纳米原料、激光材料（保白度、保发光效率）

• 精密化工 / 医药：医药纳米原料药、CMP 抛光液、高纯颜料、油墨、食品添加剂

• 纳米新材料：纳米二氧化硅、纳米氧化铝、纳米石墨烯分散、陶瓷 3D 打印纳米粉体